FF200R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

FF200R12KE3B2HOSA1

Analog & Leistungselektronik

IGBT MOD 1200V 295A 1050W

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFF200R12
KonfigurationHalf Bridge
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce14 nF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorNo
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)295 A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Power - Max1050 W

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C