FF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

ObsoletModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 100A, 15V
Basis-TeilenummerFF11MR12
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7950pF @ 800V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieCoolSiC™+
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 40mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)