F423MR12W1M1PB11BPSA1

Infineon Technologies

F423MR12W1M1PB11BPSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

ObsoletModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
Basis-TeilenummerF423MR12
Konfiguration4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.68nF @ 800V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartChassis Mount
VerpackungTray
TeilestatusObsolet
SerieEasyPACK™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

Mechanisch

Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseAG-EASY1B-2

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)