F411MR12W2M1B76BOMA1

Infineon Technologies

F411MR12W2M1B76BOMA1

Analog & Leistungselektronik

SIC 4N-CH 1200V AG-EASY1B-2

ObsoletModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 100A, 15V
Basis-TeilenummerF411MR
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs248nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7360pF @ 800V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieEasyPACK™ CoolSiC™
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 40mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tj)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseAG-EASY1B-2

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)