DF23MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BPSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

ObsoletModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Basis-TeilenummerDF23MR12
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1840pF @ 800V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieCoolSiC™+
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tj)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseAG-EASY1BM-2

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)