D650S12TXPSA1

Infineon Technologies

D650S12TXPSA1

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 1.2KV 620A

ObsoletDO-200AB, B-PUKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerD650S12
HerstellerInfineon Technologies
MontageartClamp On
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)5.3 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.25 V @ 1200 A
Current - Average Rectified (Io)620A
Current - Reverse Leakage @ Vr20 mA @ 1200 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDO-200AB, B-PUK

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C