CYD18S18V18-200BBAXC

Infineon Technologies

CYD18S18V18-200BBAXC

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA

Obsolet256-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit3.3 ns
Basis-TeilenummerCYD18S18
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Memory Organization1M x 18

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case256-LBGA
Hersteller-Gehäuse256-FBGA (17x17)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)