CY7C1911KV18-250BZXC

Infineon Technologies

CY7C1911KV18-250BZXC

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

Obsolet165-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Basis-TeilenummerCY7C1911
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz250 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization2M x 9

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-LBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)