CY7C1011G30-10BAJXE

Infineon Technologies

CY7C1011G30-10BAJXE

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA

Aktiv48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-TeilenummerCY7C1011
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße2Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.2V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-FBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)