CY62157G18-55BVXAT

Infineon Technologies

CY62157G18-55BVXAT

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

Aktiv48-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit55 ns
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMoBL®
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.65V ~ 2.2V
Memory Organization512K x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case48-VFBGA
Hersteller-Gehäuse48-VFBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)