CY14V116N-BZ30XI

Infineon Technologies

CY14V116N-BZ30XI

Datenblatt

Speicher & Storage

IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA

Aktiv165-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit30 ns
Basis-TeilenummerCY14V116
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit30ns

Elektrisch

Speichergröße16Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-LBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (15x17)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)