CY14B256Q2-LHXI

Infineon Technologies

CY14B256Q2-LHXI

Datenblatt

Speicher & Storage

NVSRAM

Abgekündigt8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit9 ns
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy

Elektrisch

Speichergröße256Kbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz40 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization32K x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)