CY14B116S-BZ25XI

Infineon Technologies

CY14B116S-BZ25XI

Speicher & Storage

IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA

Aktiv165-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit25 ns
Basis-TeilenummerCY14B116
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit25ns

Elektrisch

Speichergröße16Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-LBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (15x17)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)