CY14B116N-BA25XI

Infineon Technologies

CY14B116N-BA25XI

Speicher & Storage

IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA

Aktiv60-LFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit25 ns
Basis-TeilenummerCY14B116
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit25ns

Elektrisch

Speichergröße16Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-LFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (10x18)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)