CY14B108L-BA25XIT

Infineon Technologies

CY14B108L-BA25XIT

Datenblatt

Speicher & Storage

IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA

Aktiv48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit25 ns
Basis-TeilenummerCY14B108
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit25ns

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-FBGA (6x10)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)