CY14B101Q2-LHXI

Infineon Technologies

CY14B101Q2-LHXI

Speicher & Storage

IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Basis-TeilenummerCY14B101
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz40 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)