BTS282Z E3230

Infineon Technologies

BTS282Z E3230

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

ObsoletTO-220-7Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
FET FeatureTemperature Sensing Diode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieTEMPFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 240µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-7
Hersteller-GehäuseP-TO220-7-230

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)