BTS115AE6327

Infineon Technologies

BTS115AE6327

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 7.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieTEMPFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.5A (Tc)
Max. Verlustleistung50W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)