BTS113ANKSA1

Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 5.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieTEMPFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Tc)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)