BTS113AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB

ObsoletTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 5.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTEMPFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Tc)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)