BSZ0910NDXTMA1

Infineon Technologies

BSZ0910NDXTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 9A, 10V
Basis-TeilenummerBSZ0910
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta), 25A (Tc)
Power - Max1.9W (Ta), 31W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePG-WISON-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)