BSS816NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSS816NWH6327XTSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 3.7µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäusePG-SOT323

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)