BSS223PWL6327

Infineon Technologies

BSS223PWL6327

Analog & Leistungselektronik

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.5µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA (Ta)
Max. Verlustleistung250mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäusePG-SOT323-3-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)