BSS215P H6327

Infineon Technologies

BSS215P H6327

Analog & Leistungselektronik

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds346 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™P2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id0.6V @ 11µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäusePG-SOT23-3-5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)