BSR802NL6327HTSA1

Infineon Technologies

BSR802NL6327HTSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 3.7A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1447 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 30µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäusePG-SC59-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)