BSO211PHXUMA1

Infineon Technologies

BSO211PHXUMA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerBSO211
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1095pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1.6W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-GehäusePG-DSO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)