BSO200N03

Infineon Technologies

BSO200N03

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.9A, 10V
Basis-TeilenummerBSO200
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1010pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 13µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A
Power - Max1.4W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-GehäusePG-DSO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)