Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 18A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | OptiMOS™3 M |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Drain-Source-Spannung | 30 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A |
| Max. Verlustleistung | 2.5W |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Hersteller-Gehäuse | PG-DSO-8 |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C |
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