BSM25GB120DN2

Infineon Technologies

BSM25GB120DN2

Analog & Leistungselektronik

IGBT MODULE

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

KonfigurationHalf Bridge
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce1.65 nF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorNo
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)38 A
Current - Collector Cutoff (Max)800 µA
Power - Max200 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)