BSL802SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSL802SNH6327XTSA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1347 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 30µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäusePG-TSOP6-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)