BSL211SP

Infineon Technologies

BSL211SP

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 4.7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds654 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäusePG-TSOP6-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)