BSF450NE7NH3XUMA1

Infineon Technologies

BSF450NE7NH3XUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 5A/15A 2WDSON

Aktiv3-WDSONAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390 pF @ 37.5 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 8µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 15A (Tc)
Max. Verlustleistung2.2W (Ta), 18W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
Hersteller-GehäuseMG-WDSON-2, CanPAK M™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)