BSF077N06NT3GXUMA1

Infineon Technologies

BSF077N06NT3GXUMA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON

Obsolet3-WDSONAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.7mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 33µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 56A (Tc)
Max. Verlustleistung2.2W (Ta), 38W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
Hersteller-GehäuseMG-WDSON-2, CanPAK M™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)