BSD840N L6327

Infineon Technologies

BSD840N L6327

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

Obsolet6-VSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 880mA, 2.5V
Basis-TeilenummerBSD840
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.26nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds78pF @ 10V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 1.6µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C880mA
Power - Max500mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäusePG-SOT363-PO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)