BSD816SNH6327

Infineon Technologies

BSD816SNH6327

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

Aktiv6-VSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 3.7µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäusePG-SOT363-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)