BSD316SNL6327XT

Infineon Technologies

BSD316SNL6327XT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6

Obsolet6-VSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds94 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 3.7µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäusePG-SOT363-PO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)