BSD223P

Infineon Technologies

BSD223P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

Obsolet6-VSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Basis-TeilenummerBSD223
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.5µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA
Power - Max250mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäusePG-SOT363-PO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)