BSD214SN L6327

Infineon Technologies

BSD214SN L6327

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6

Obsolet6-VSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds143 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.7µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäusePG-SOT363-PO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)