BSC882N03LS G

Infineon Technologies

BSC882N03LS G

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™3 M
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung34 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)