BSC150N03LDGATMA1

Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerBSC150
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max26W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-4

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)