BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

BSC0910NDIATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 25A, 10V
Basis-TeilenummerBSC0910
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 12V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A, 31A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TISON-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)