BSC070N10NS5SCATMA1

Infineon Technologies

BSC070N10NS5SCATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 82A (Tc)
Max. Verlustleistung3W (Ta), 100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePG-WSON-8-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)