BSC066N06NSATMA1

Infineon Technologies

BSC066N06NSATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 46W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)