BSC057N03MSGATMA1

Infineon Technologies

BSC057N03MSGATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 71A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 45W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)