BSC032N03S

Infineon Technologies

BSC032N03S

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

Abgekündigt8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5080 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusDiscontinued at
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 70µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 100A (Tc)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta), 78W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)