BSC030N10NS5SCATMA1

Infineon Technologies

BSC030N10NS5SCATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH >=100V

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Serie448
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 115µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C171A (Tc)
Max. Verlustleistung188W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePG-WSON-8-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)