BSC007N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

BSC007N04LS6ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8400 pF @ 20 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C381A (Tc)
Max. Verlustleistung188W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)