BSB104N08NP3GXUSA1

Infineon Technologies

BSB104N08NP3GXUSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON

Abgekündigt3-WDSONAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 40 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 40µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 50A (Tc)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta), 42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
Hersteller-GehäuseMG-WDSON-2, CanPAK M™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)