BSB044N08NN3GXUMA1

Infineon Technologies

BSB044N08NN3GXUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON

Aktiv3-WDSONAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 40 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 97µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 90A (Tc)
Max. Verlustleistung2.2W (Ta), 78W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-WDSON
Hersteller-GehäuseMG-WDSON-2, CanPAK M™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)