BSB019N03LX G

Infineon Technologies

BSB019N03LX G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON

Obsolet3-WDSONAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8400 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta), 174A (Tc)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta), 89W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
Hersteller-GehäuseMG-WDSON-2, CanPAK M™

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)